北方华创化合物半导体解决方案助力小器件大发展

　　随着5G通信商业化进程的不断加快，人工智能、3D传感器、IoT、云计算、电动汽车、轨道交通、充电桩等应用不断深入人类生活的方方面面，化合物半导体对人类社会和科技发展影响越来越巨大。

　　  在化合物半导体领域中，GaN器件能够实现下一代高频通信网络所需的高功率要求，随着5G通信、智能物联网等新兴技术的蓬勃发展，GaN器件应用前景广阔。

　　  北方华创针对GaN器件的正面刻蚀工艺，自主研发了GSE C200系列单片ICP刻蚀机，针对不同的GaN器件结构，可实现同时兼顾产能与部分特定器件低速、低损伤刻蚀要求。北方华创研发的独特“逐层刻蚀”技术，具有刻蚀速率与刻蚀深度精确可控、均匀性好、表面粗糙度小、刻蚀损伤低、无ARDE效应等优点。GSE C200系列单片ICP刻蚀机，兼容8 inch及以下晶圆尺寸，其灵活的配置可满足研发/中试线/量产的要求。

　　北方华创“逐层刻蚀”技术

　　  SiC器件拥有高耐压、低损耗、高效率等特性，并且在众多方面具有广阔的应用前景，一直被视为“理想器件”而备受期待。

　　  北方华创针对SiC器件的背孔刻蚀工艺，研发了SW GDE C200系列单片ICP刻蚀机。该设备除可实现SiC深孔高速、均匀刻蚀以外，通过独特的工艺调节，可获得圆滑的刻蚀形貌控制;通过一系列更针对性的设计，可帮助客户获得更高的MTBC。同时，SW GDE C200系列刻蚀机也是SiC mosFET 栅槽刻蚀和SiC二极管小角度台面刻蚀的完美解决方案。除了SiC材料，该设备还可应用于SiO2、SiN材料的刻蚀。目前该设备已通过客户技术验证，获得高度认可。

　　  北方华创紧跟产业发展需求，在化合物半导体领域可提供SiC刻蚀、GaN刻蚀、介质刻蚀、高温炉、LPCVD、PECVD以及PVD等关键设备，并且已经在多条生产线上量产，为客户创造价值。